PRAM: mémoire à changement de phase

Source: Geeky-gadgets.com


Samsung annonce de PRAM (cf http://en.wikipedia.org/wiki/Phase-change_memory) de la mémoire (Flash) qui utilise la propriété du verre de chalcogénure, qui le fait basculer de la forme cristalline à la forme amorphe sous l'effet de la chaleur.
Les Flash NOR et NAND utilisée actuellement, sont basées sur un système de "piège à électron" (en gros la cellule est remplie ou pas).  Là c'est plutôt un état de matière: cristallisé ou pas.

Bénéfices:

  • besoin de moins d'énergie, donc autonomie augmentée pour nos appareil gourmands en Flash ...
  • de 7 à 10 fois plus rapide que le mémoire NOR (plus vieilles, plus chères à produire mais plus rapides que nos NAND utilisées partout)

Bel effort ;)

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